IDW12G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 365.28 грн |
| 30+ | 197.46 грн |
| 120+ | 163.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW12G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW12G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 18nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IDW12G65C5XKSA1 за ціною від 141.25 грн до 581.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW12G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDW12G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDW12G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IDW12G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDW12G65C5 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |