IDW12G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 357.61 грн |
| 30+ | 193.28 грн |
| 120+ | 159.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW12G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2473, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDW12G65C5XKSA1 за ціною від 122.64 грн до 369.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW12G65C5XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IDW12G65C5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 369.21 грн |
| 10+ | 199.40 грн |
| 100+ | 163.52 грн |
| 480+ | 122.64 грн |