IDW15E65D2 Infineon Technologies


INFNS30540-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 650V 30A TO247-3-1
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 19680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDW15E65D2 Infineon Technologies

Description: DIODE GP 650V 30A TO247-3-1, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 15 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Current - Average Rectified (Io): 30A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 47 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції IDW15E65D2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDW15E65D2 Infineon Technologies Infineon-IDW15E65D2-DataSheet-v02_02-EN.pdf Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS Rapid Switching
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW15E65D2 Infineon-IDW15E65D2-DataSheet-v02_02-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS Rapid Switching
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.