IDW20G65C5BXKSA2

IDW20G65C5BXKSA2 Infineon Technologies


Infineon_IDW20G65C5B_DS_v02_00_EN-3362137.pdf Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 321 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+632.99 грн
10+383.57 грн
100+306.37 грн
240+293.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDW20G65C5BXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDW20G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IDW20G65C5BXKSA2 за ціною від 344.33 грн до 805.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDW20G65C5BXKSA2 IDW20G65C5BXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDW20G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e44f2f29d49b0 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+715.06 грн
30+406.36 грн
120+344.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 IDW20G65C5BXKSA2 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299446-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDW20G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+805.88 грн
5+725.46 грн
10+645.04 грн
50+538.44 грн
100+441.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 IDW20G65C5BXKSA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-idw20g65c5b-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624e24005f014e44.pdf Rectifier Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDW20G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e44f2f29d49b0 IDW20G65C5B THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.