Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDW20G65C5BXKSA2
IDW20G65C5BXKSA2

IDW20G65C5BXKSA2 Infineon Technologies

infineon-idw20g65c5b-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624e24005f014e44.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
240+388.74 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDW20G65C5BXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDW20G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IDW20G65C5BXKSA2 за ціною від 260.79 грн до 741.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDW20G65C5BXKSA2 IDW20G65C5BXKSA2 Infineon Technologies infineon-idw20g65c5b-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624e24005f014e44.pdf Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+423.13 грн
100+401.91 грн
500+380.70 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 IDW20G65C5BXKSA2 Infineon Technologies infineon-idw20g65c5b-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624e24005f014e44.pdf Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+423.13 грн
100+401.91 грн
500+380.70 грн
1000+346.64 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 IDW20G65C5BXKSA2 Infineon Technologies Infineon_IDW20G65C5B_DS_v02_00_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+647.15 грн
10+436.08 грн
100+312.24 грн
480+278.41 грн
1200+260.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 IDW20G65C5BXKSA2 INFINEON INFN-S-A0001299446-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDW20G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+670.99 грн
5+536.14 грн
10+400.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 IDW20G65C5BXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IDW20G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e44f2f29d49b0 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+694.61 грн
30+394.74 грн
120+334.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 IDW20G65C5BXKSA2 Infineon Technologies infineon-idw20g65c5b-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624e24005f014e44.pdf Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+741.38 грн
34+419.17 грн
35+413.85 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 infineon-idw20g65c5b-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624e24005f014e44.pdf
IDW20G65C5BXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
84+423.13 грн
100+401.91 грн
500+380.70 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 infineon-idw20g65c5b-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624e24005f014e44.pdf
IDW20G65C5BXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
84+423.13 грн
100+401.91 грн
500+380.70 грн
1000+346.64 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 Infineon_IDW20G65C5B_DS_v02_00_EN.pdf
IDW20G65C5BXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+647.15 грн
10+436.08 грн
100+312.24 грн
480+278.41 грн
1200+260.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 INFN-S-A0001299446-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDW20G65C5BXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW20G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+670.99 грн
5+536.14 грн
10+400.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 Infineon-IDW20G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e44f2f29d49b0
IDW20G65C5BXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+694.61 грн
30+394.74 грн
120+334.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 infineon-idw20g65c5b-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624e24005f014e44.pdf
IDW20G65C5BXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+741.38 грн
34+419.17 грн
35+413.85 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.