IDW20G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 20A PGTO247341
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 588.07 грн |
| 30+ | 325.69 грн |
| 120+ | 276.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW20G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW20G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 29nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDW20G65C5XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IDW20G65C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDW20G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 29nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IDW20G65C5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDW20G65C5XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW20G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDW20G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)