Продукція > INFINEON > IDW20G65C5XKSA1
IDW20G65C5XKSA1

IDW20G65C5XKSA1 INFINEON


IDW20G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4aad88f21b5 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW20G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+539.31 грн
10+439.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDW20G65C5XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IDW20G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 29nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IDW20G65C5XKSA1 за ціною від 281.93 грн до 776.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDW20G65C5XKSA1 IDW20G65C5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies IDW20G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4aad88f21b5 Description: DIODE SIC 650V 20A PGTO247341
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+599.27 грн
30+331.90 грн
120+281.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5XKSA1 IDW20G65C5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDW20G65C5_DS_v02_02_en-3163534.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+776.02 грн
10+691.17 грн
25+584.98 грн
100+497.13 грн
240+485.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.