IDW20G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 20A PGTO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 570.83 грн |
| 30+ | 318.84 грн |
| 60+ | 291.33 грн |
| 120+ | 251.68 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW20G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW20G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 29nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції IDW20G65C5XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IDW20G65C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDW20G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 29nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IDW20G65C5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDW20G65C5XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW20G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IDW20G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)