IDW24G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 838.92 грн |
| 10+ | 692.63 грн |
| 240+ | 543.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW24G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDW24G65C5BXKSA2 за ціною від 422.90 грн до 876.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW24G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IDW24G65C5BXKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 876.57 грн |
| 10+ | 740.03 грн |
| 100+ | 536.37 грн |
| 240+ | 523.69 грн |
| 480+ | 426.42 грн |
| 10080+ | 422.90 грн |