Продукція > INFINEON > IDW24G65C5BXKSA2
IDW24G65C5BXKSA2

IDW24G65C5BXKSA2 INFINEON

INFN-S-A0001299189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW24G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+562.93 грн
5+492.67 грн
10+408.02 грн
50+339.57 грн
100+289.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDW24G65C5BXKSA2 INFINEON

Description: INFINEON - IDW24G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 18nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IDW24G65C5BXKSA2 за ціною від 452.76 грн до 938.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDW24G65C5BXKSA2 IDW24G65C5BXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDW24G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e44b312b44906 Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+863.62 грн
10+713.02 грн
240+559.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDW24G65C5BXKSA2 IDW24G65C5BXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDW24G65C5B_DS_v02_00_EN-1226642.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+938.48 грн
10+792.30 грн
100+574.25 грн
240+560.67 грн
480+456.54 грн
10080+452.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDW24G65C5BXKSA2 IDW24G65C5BXKSA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-idw24g65c5b-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624e24005f014e44.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW24G65C5BXKSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDW24G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e44b312b44906 IDW24G65C5B THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.