IDW24G65C5BXKSA2 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IDW24G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 674.78 грн |
| 5+ | 611.12 грн |
| 10+ | 546.72 грн |
| 50+ | 460.37 грн |
| 100+ | 381.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW24G65C5BXKSA2 INFINEON
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDW24G65C5BXKSA2 за ціною від 400.57 грн до 830.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW24G65C5BXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDW24G65C5BXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDW24G65C5BXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IDW24G65C5BXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12Ax2; 152W; PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 12A x2 Power dissipation: 152W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 56A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 2.4µA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IDW24G65C5BXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12Ax2; 152W; PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 12A x2 Power dissipation: 152W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 56A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 2.4µA |
товар відсутній |