IDW30G120C5BFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1260.23 грн |
| 10+ | 1132.44 грн |
| 25+ | 968.71 грн |
| 50+ | 966.7 грн |
| 100+ | 899.94 грн |
| 240+ | 857.88 грн |
| 480+ | 819.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW30G120C5BFKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SIC 1200V 44A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 44A (DC), Supplier Device Package: PG-TO247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 124 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IDW30G120C5BFKSA1 за ціною від 866.01 грн до 1387.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE ARR SIC 1200V 44A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 44A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 124 µA @ 1200 V |
на замовлення 1242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 87A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |