IDW30G120C5BFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 489.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW30G120C5BFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW30G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 154nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDW30G120C5BFKSA1 за ціною від 287.25 грн до 910.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Rectifier Diode Schottky 1.2KV 87A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 5760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 44A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 44A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 124 µA @ 1200 V |
на замовлення 1147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE |
на замовлення 729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDW30G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 154nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |