
IDW30G120C5BFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
120+ | 504.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW30G120C5BFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW30G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 154nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IDW30G120C5BFKSA1 за ціною від 469.33 грн до 850.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 63600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 44A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 124 µA @ 1200 V |
на замовлення 1147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 154nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IDW30G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |