IDW30G65C5FKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V
на замовлення 11397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 637.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW30G65C5FKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V.
Інші пропозиції IDW30G65C5FKSA1 за ціною від 751.01 грн до 751.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDW30G65C5FKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDW30G65C5FKSA1 - IDW30G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
IDW30G65C5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V |
товару немає в наявності |