IDW30G65C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 453.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW30G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW30G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 42nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDW30G65C5XKSA1 за ціною від 385.68 грн до 881.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW30G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDW30G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDW30G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 42nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDW30G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V |
на замовлення 1201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDW30G65C5 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |