IDW32G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 872.82 грн |
| 10+ | 755.31 грн |
| 25+ | 640.06 грн |
| 50+ | 467.15 грн |
| 100+ | 426.71 грн |
| 480+ | 421.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW32G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDW32G65C5BXKSA2 за ціною від 694.16 грн до 976.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW32G65C5BXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|