IDW40E65D1FKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW40E65D1FKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 1.35 V, 77 ns, 320 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.35V
Sperrverzögerungszeit: 77ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: IDW40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 203.93 грн |
| 10+ | 110.19 грн |
| 100+ | 94.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW40E65D1FKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IDW40E65D1FKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 1.35 V, 77 ns, 320 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Durchlassstoßstrom: 320A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.35V, Sperrverzögerungszeit: 77ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: IDW40, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IDW40E65D1FKSA1 за ціною від 126.88 грн до 242.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDW40E65D1FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE GP 650V 80A TO247-3-1Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Current - Average Rectified (Io): 80A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 129 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IDW40E65D1FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 650V 80A TO247-3-1
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Current - Average Rectified (Io): 80A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE GP 650V 80A TO247-3-1
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Current - Average Rectified (Io): 80A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 242.64 грн |
| 30+ | 126.88 грн |



