IDW40G120C5BFKSA1
Код товару: 119036
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IDW40G120C5BFKSA1 за ціною від 490.05 грн до 1208.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A PGTO2473Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 166 µA @ 1200 V |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IDW40G120C5BFKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDW40G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 202nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IDW40G120C5BFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A PGTO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 166 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A PGTO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 166 µA @ 1200 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 977.68 грн |
| 30+ | 571.14 грн |
| 120+ | 490.05 грн |
| IDW40G120C5BFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1012.25 грн |
| 25+ | 650.06 грн |
| 100+ | 512.41 грн |
| IDW40G120C5BFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW40G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 202nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDW40G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 202nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1208.78 грн |
| 5+ | 1096.94 грн |
| 10+ | 984.29 грн |
| 50+ | 837.63 грн |




