IDW40G120C5BFKSA1
Код товару: 119036
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IDW40G120C5BFKSA1 за ціною від 481.32 грн до 1187.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW40G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IDW40G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IDW40G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDW40G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 166 µA @ 1200 V |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDW40G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IDW40G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDW40G120C5BFKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDW40G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 202nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IDW40G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
IDW40G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| IDW40G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |