Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDW40G65C5B

IDW40G65C5B Infineon Technologies

Infineon-IDW40G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e451799b149e1

Виробник: Infineon Technologies
Description: IDW40G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIOD

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 25 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IDW40G65C5B Infineon Technologies

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W, Mounting: THT, Max. forward impulse current: 87A, Max. forward voltage: 1.8V, Power dissipation: 112W, Technology: CoolSiC™ 5G; SiC, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 20A x2, Kind of package: tube, Semiconductor structure: common cathode; double, Leakage current: 4.1µA, Case: PG-TO247-3, Type of diode: Schottky rectifying.

Інші пропозиції IDW40G65C5B

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IDW40G65C5BXKSA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W Mounting: THT Max. forward impulse current: 87A Max. forward voltage: 1.8V Power dissipation: 112W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A x2 Kind of package: tube Semiconductor structure: common cathode; double Leakage current: 4.1µA Case: PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

IDW40G65C5BXKSA2

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 87A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 4.1µA
Case: PG-TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.