Продукція > INFINEON > IDW40G65C5BXKSA2
IDW40G65C5BXKSA2

IDW40G65C5BXKSA2 INFINEON

Infineon-IDW40G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e451799b149e1 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW40G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1095.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDW40G65C5BXKSA2 INFINEON

Description: INFINEON - IDW40G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 29nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IDW40G65C5BXKSA2 за ціною від 589.42 грн до 1249.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDW40G65C5BXKSA2 IDW40G65C5BXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDW40G65C5B_DS_v02_00_EN-1226855.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 210 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1219.43 грн
10+1124.32 грн
25+665.14 грн
50+658.46 грн
100+589.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5BXKSA2 IDW40G65C5BXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDW40G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e451799b149e1 Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1249.49 грн
30+974.22 грн
120+916.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5BXKSA2 IDW40G65C5BXKSA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-idw40g65c5b-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624e24005f014e45.pdf 650V SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5BXKSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDW40G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e451799b149e1 IDW40G65C5B THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.