IDW40G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1026.51 грн |
| 10+ | 947.63 грн |
| 25+ | 578.78 грн |
| 100+ | 504.08 грн |
| 240+ | 503.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW40G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW40G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 29nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDW40G65C5BXKSA2 за ціною від 932.05 грн до 1270.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW40G65C5BXKSA2 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IDW40G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 29nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IDW40G65C5BXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IDW40G65C5BXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
650V SiC Schottky Diode |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IDW40G65C5BXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W Case: PG-TO247-3 Load current: 20A x2 Max. forward voltage: 1.8V Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Leakage current: 4.1µA Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. forward impulse current: 87A Semiconductor structure: common cathode; double Power dissipation: 112W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IDW40G65C5BXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W Case: PG-TO247-3 Load current: 20A x2 Max. forward voltage: 1.8V Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Leakage current: 4.1µA Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. forward impulse current: 87A Semiconductor structure: common cathode; double Power dissipation: 112W |
товару немає в наявності |