IDW40G65C5FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW40G65C5FKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 40A PGTO24731, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 650 V.
Інші пропозиції IDW40G65C5FKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW40G65C5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIC 650V 40A PGTO24731Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 650 V |
товару немає в наявності |