IDW40G65C5XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IDW40G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1008.60 грн |
| 5+ | 988.25 грн |
| 10+ | 967.09 грн |
| 50+ | 554.83 грн |
| 100+ | 440.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW40G65C5XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IDW40G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 55nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDW40G65C5XKSA1 за ціною від 529.32 грн до 1411.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW40G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 40A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IDW40G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IDW40G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W Case: PG-TO247-3 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 153A Leakage current: 8.2µA Power dissipation: 112W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IDW40G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W Case: PG-TO247-3 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 153A Leakage current: 8.2µA Power dissipation: 112W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT |
товару немає в наявності |