IDW40G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 40A PGTO2473
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Current - Average Rectified (Io): 40A
Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 875.39 грн |
| 30+ | 509.14 грн |
| 120+ | 436.04 грн |
| 510+ | 392.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW40G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 40A PGTO2473, Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Current - Average Rectified (Io): 40A, Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IDW40G65C5XKSA1 за ціною від 421.49 грн до 922.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IDW40G65C5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 922.62 грн |
| 10+ | 560.90 грн |
| 100+ | 421.49 грн |