IDW40G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 900.56 грн |
| 30+ | 701.62 грн |
| 120+ | 660.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW40G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDW40G65C5XKSA1 за ціною від 863.22 грн до 1298.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW40G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| IDW40G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDW40G65C5 THT Schottky diodes |
товар відсутній |