IDW40G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 40A PGTO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 881.09 грн |
| 30+ | 505.31 грн |
| 120+ | 438.82 грн |
| 510+ | 394.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW40G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW40G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 55nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDW40G65C5XKSA1 за ціною від 446.40 грн до 1046.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW40G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDW40G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDW40G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 55nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDW40G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W Case: PG-TO247-3 Load current: 40A Max. forward voltage: 1.8V Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Leakage current: 8.2µA Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. forward impulse current: 153A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 112W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IDW40G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W Case: PG-TO247-3 Load current: 40A Max. forward voltage: 1.8V Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Leakage current: 8.2µA Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. forward impulse current: 153A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 112W |
товару немає в наявності |