IDWD10G120C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 292.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDWD10G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 34A, Supplier Device Package: PG-TO247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IDWD10G120C5XKSA1 за ціною від 266.38 грн до 585.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDWD10G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDWD10G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 148W; TO247-2 Power dissipation: 148W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Case: TO247-2 Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 140A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IDWD10G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IDWD10G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 148W; TO247-2 Power dissipation: 148W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Case: TO247-2 Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 140A |
товар відсутній |