IDWD10G200C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 2000V 35A PGTO2472U01
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 2 kV
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Технічний опис IDWD10G200C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDWD10G200C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 2 kV, 35 A, 89 nC, TO-247, tariffCode: 85412900, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 89nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDWD10G200C5XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IDWD10G200C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IDWD10G200C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDWD10G200C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 2 kV, 35 A, 89 nC, TO-247 tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 89nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IDWD10G200C5XKSA1 |
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Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDWD10G200C5XKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD10G200C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 2 kV, 35 A, 89 nC, TO-247
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 89nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDWD10G200C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 2 kV, 35 A, 89 nC, TO-247
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 89nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)