IDWD10G200C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 2000V 35A PGTO2472U01
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 2 kV
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 823.66 грн |
| 30+ | 473.65 грн |
| 120+ | 403.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDWD10G200C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 2000V 35A PGTO2472U01, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 2 kV.
Інші пропозиції IDWD10G200C5XKSA1 за ціною від 511.30 грн до 955.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDWD10G200C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|