IDWD120E65E7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 385.37 грн |
| 10+ | 319.80 грн |
| 100+ | 225.12 грн |
| 240+ | 211.14 грн |
| 480+ | 199.37 грн |
| 1200+ | 170.68 грн |
| 2640+ | 161.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDWD120E65E7XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io), Reverse Recovery Time (trr): 98 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 150A, Supplier Device Package: PG-TO247-2-2, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 120 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDWD120E65E7XKSA1 за ціною від 175.52 грн до 420.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDWD120E65E7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 98 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IDWD120E65E7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
INDUSTRY 14 |
товару немає в наявності |