IDWD150E65E7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 468.63 грн |
| 10+ | 340.11 грн |
| 100+ | 214.08 грн |
| 240+ | 213.35 грн |
| 480+ | 180.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDWD150E65E7XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE STD 650V 200A PGTO24722, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io), Reverse Recovery Time (trr): 97 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 200A, Supplier Device Package: PG-TO247-2-2, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 150 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDWD150E65E7XKSA1 за ціною від 213.98 грн до 468.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDWD150E65E7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE STD 650V 200A PGTO24722Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 97 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IDWD150E65E7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
INDUSTRY 14 |
товару немає в наявності |