
IDWD150E65E7XKSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE STD 650V 200A PGTO24722
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 97 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 418.78 грн |
30+ | 228.49 грн |
120+ | 189.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDWD150E65E7XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE STD 650V 200A PGTO24722, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io), Reverse Recovery Time (trr): 97 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 200A, Supplier Device Package: PG-TO247-2-2, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 150 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDWD150E65E7XKSA1 за ціною від 183.50 грн до 475.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IDWD150E65E7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
IDWD150E65E7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |