IDWD15G120C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 452.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDWD15G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDWD15G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 49 A, 82 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 82nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDWD15G120C5XKSA1 за ціною від 258.07 грн до 875.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IDWD15G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 49 A, 82 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 82nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 43440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 49A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 124 µA @ 1200 V |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDWD15G120C5XKSA1 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |