IDWD25G200C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1840.19 грн |
| 10+ | 1489.87 грн |
| 25+ | 1248.45 грн |
| 50+ | 1218.29 грн |
| 100+ | 1189.60 грн |
| 240+ | 1133.69 грн |
| 480+ | 1086.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDWD25G200C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 2000V 77A PGTO2472U01, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 2850pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 77A, Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 25 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 375 µA @ 2 kV.
Інші пропозиції IDWD25G200C5XKSA1 за ціною від 886.47 грн до 1434.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDWD25G200C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIC 2000V 77A PGTO2472U01Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2850pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 77A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 375 µA @ 2 kV |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|