
IDWD25G200C5XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IDWD25G200C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 2 kV, 77 A, 224 nC, TO-247
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 224nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 77A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1542.10 грн |
5+ | 1350.72 грн |
10+ | 1158.49 грн |
50+ | 898.03 грн |
100+ | 785.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDWD25G200C5XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IDWD25G200C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 2 kV, 77 A, 224 nC, TO-247, tariffCode: 85412900, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 224nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 77A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDWD25G200C5XKSA1 за ціною від 913.65 грн до 1571.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDWD25G200C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IDWD25G200C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2850pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 77A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 375 µA @ 2 kV |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|