IDWD30G120C5XKSA1

IDWD30G120C5XKSA1 Infineon Technologies


infineon-idwd30g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+485.16 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDWD30G120C5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDWD30G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 154nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IDWD30G120C5XKSA1 за ціною від 401.24 грн до 1200.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDWD30G120C5XKSA1 IDWD30G120C5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-idwd30g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+802.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD30G120C5XKSA1 IDWD30G120C5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDWD30G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d57e7f5492 Description: DIODE SIC 1.2KV 87A PGTO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 87A
Supplier Device Package: PG-TO247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 248 µA @ 1200 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+981.25 грн
30+538.48 грн
120+479.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD30G120C5XKSA1 IDWD30G120C5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-idwd30g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+985.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD30G120C5XKSA1 IDWD30G120C5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDWD30G120C5_DataSheet_v02_01_EN-3361863.pdf SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+985.40 грн
10+584.35 грн
100+452.43 грн
480+446.40 грн
1200+401.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD30G120C5XKSA1 IDWD30G120C5XKSA1 Виробник : INFINEON 2792920.pdf Description: INFINEON - IDWD30G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 154nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1053.91 грн
5+1050.53 грн
10+1046.31 грн
50+562.24 грн
100+477.73 грн
250+427.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD30G120C5XKSA1 IDWD30G120C5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-idwd30g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1200.85 грн
25+1145.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD30G120C5XKSA1 IDWD30G120C5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-idwd30g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD30G120C5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-idwd30g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+627.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD30G120C5XKSA1 IDWD30G120C5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDWD30G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d57e7f5492 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; 332W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 0.24kA
Power dissipation: 332W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD30G120C5XKSA1 IDWD30G120C5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDWD30G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d57e7f5492 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; 332W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 0.24kA
Power dissipation: 332W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.