Технічний опис IDWD30G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDWD30G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 154nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IDWD30G120C5XKSA1 за ціною від 456.97 грн до 1392.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 87A PGTO2472Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 87A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 248 µA @ 1200 V |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IDWD30G120C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDWD30G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 154nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IDWD30G120C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 868.41 грн |
| IDWD30G120C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 87A PGTO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 87A
Supplier Device Package: PG-TO247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 248 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIC 1.2KV 87A PGTO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 87A
Supplier Device Package: PG-TO247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 248 µA @ 1200 V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 915.94 грн |
| 30+ | 533.44 грн |
| 120+ | 456.97 грн |
| IDWD30G120C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 1142.03 грн |
| IDWD30G120C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 1392.04 грн |
| 25+ | 1327.76 грн |
| IDWD30G120C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDWD30G120C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD30G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 154nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDWD30G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 154nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IDWD30G120C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






