IDWD40G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 110A PGTO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2592pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 110A
Supplier Device Package: PG-TO247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 332 µA @ 1200 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 934.89 грн |
| 30+ | 544.58 грн |
| 120+ | 466.69 грн |
| 510+ | 390.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDWD40G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDWD40G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 202nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IDWD40G120C5XKSA1 за ціною від 545.89 грн до 1092.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDWD40G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
на замовлення 744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDWD40G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDWD40G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 202nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IDWD40G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon |
SIC SCHOTTKY 1200V 40A TO247-2 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IDWD40G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; 402W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.65V Max. forward impulse current: 290A Power dissipation: 402W |
товару немає в наявності |