IDWD40G120C5XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IDWD40G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d56ffd548f
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 110A PGTO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2592pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 110A
Supplier Device Package: PG-TO247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 332 µA @ 1200 V
на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+947.55 грн
30+551.95 грн
120+473.01 грн
510+395.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDWD40G120C5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDWD40G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 202nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IDWD40G120C5XKSA1 за ціною від 553.29 грн до 1107.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDWD40G120C5XKSA1 IDWD40G120C5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IDWD40G120C5_DataSheet_v02_01_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1092.83 грн
10+820.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40G120C5XKSA1 IDWD40G120C5XKSA1 INFINEON 2792921.pdf Description: INFINEON - IDWD40G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 202nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1107.63 грн
5+888.08 грн
10+667.70 грн
50+616.19 грн
100+564.57 грн
250+553.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40G120C5XKSA1 Infineon_IDWD40G120C5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1092.83 грн
10+820.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40G120C5XKSA1 2792921.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD40G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 202nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1107.63 грн
5+888.08 грн
10+667.70 грн
50+616.19 грн
100+564.57 грн
250+553.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.