IDWD40G200C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 2000V 114A PGTO2472U01
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4550pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 114A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 2 kV
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1825.32 грн |
| 30+ | 1126.35 грн |
| 120+ | 988.49 грн |
| 510+ | 917.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDWD40G200C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 2000V 114A PGTO2472U01, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 4550pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 114A, Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 2 kV.
Інші пропозиції IDWD40G200C5XKSA1 за ціною від 1229.22 грн до 2187.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDWD40G200C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE |
на замовлення 1419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IDWD40G200C5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2187.31 грн |
| 10+ | 1725.66 грн |
| 100+ | 1297.58 грн |
| 480+ | 1229.22 грн |