IDWD50E65E7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 230.02 грн |
| 10+ | 190.36 грн |
| 100+ | 133.89 грн |
| 240+ | 125.80 грн |
| 480+ | 118.44 грн |
| 1200+ | 101.52 грн |
| 2640+ | 95.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDWD50E65E7XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 650V 92A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io), Reverse Recovery Time (trr): 94 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 92A, Supplier Device Package: PG-TO247-2-2, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDWD50E65E7XKSA1 за ціною від 180.93 грн до 285.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDWD50E65E7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE GEN PURP 650V 92A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 94 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 92A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IDWD50E65E7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
INDUSTRY 14 |
товару немає в наявності |