IDWD50G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2890pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 131A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1.2 kV
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1025.98 грн |
| 30+ | 605.91 грн |
| 120+ | 522.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDWD50G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 2890pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 131A, Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1.2 kV.
Інші пропозиції IDWD50G120C5XKSA1 за ціною від 530.60 грн до 1049.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDWD50G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|