Продукція > INFINEON > IDWD50G200C5XKSA1
IDWD50G200C5XKSA1

IDWD50G200C5XKSA1 INFINEON


Infineon-IDWD50G200C5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f500193975f5ebc3f0d Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD50G200C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 2 kV, 140 A, 450 nC, TO-247
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 450nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2649.42 грн
5+2347.22 грн
10+2044.16 грн
50+1617.53 грн
100+1462.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDWD50G200C5XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IDWD50G200C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 2 kV, 140 A, 450 nC, TO-247, tariffCode: 85412900, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 450nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IDWD50G200C5XKSA1 за ціною від 1766.96 грн до 2858.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDWD50G200C5XKSA1 IDWD50G200C5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies IDWD50G200C5XKSA1.pdf Description: DIODE SIC 2000V 140A PGTO2472U01
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 5700pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 140A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 2 kV
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2760.94 грн
10+2159.15 грн
30+2013.16 грн
120+1766.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD50G200C5XKSA1 IDWD50G200C5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDWD50G200C5_DataSheet_v01_00_EN-3536831.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2858.08 грн
10+2503.93 грн
25+2176.56 грн
100+1904.11 грн
240+1777.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.