IDYH10G200C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers CoolSiC Schottky diode 2000 V, 10 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 853.54 грн |
| 10+ | 520.37 грн |
| 100+ | 386.24 грн |
| 480+ | 384.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDYH10G200C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 2000V 35A PGTO247U04, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4 Variant, Mounting Type: Through Hole, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: PG-TO247-U04, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 2000 V.
Інші пропозиції IDYH10G200C5XKSA1 за ціною від 535.92 грн до 925.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDYH10G200C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 2000V 35A PGTO247U04 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: PG-TO247-U04 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 2000 V |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IDYH10G200C5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 2000V 35A PGTO247U04
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: PG-TO247-U04
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 2000 V
Description: DIODE SIC 2000V 35A PGTO247U04
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: PG-TO247-U04
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 2000 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 925.35 грн |
| 30+ | 535.92 грн |