IDYH80G200C5XKSA1

IDYH80G200C5XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_DS_IDYH80G200C5_v1_00_en-3451681.pdf Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers CoolSiC Schottky diode 2000 V, 80 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package
на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4319.39 грн
10+4186.75 грн
25+3554.30 грн
240+2462.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDYH80G200C5XKSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE SIC 2000V 157A PGTO247U04, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4 Variant, Mounting Type: Through Hole, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 9100pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 157A, Supplier Device Package: PG-TO247-U04, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 80 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 A @ 2000 V.

Інші пропозиції IDYH80G200C5XKSA1 за ціною від 3870.38 грн до 5231.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDYH80G200C5XKSA1 IDYH80G200C5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDYH80G200C5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917f09c7ac3973 Description: DIODE SIC 2000V 157A PGTO247U04
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 9100pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 157A
Supplier Device Package: PG-TO247-U04
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 A @ 2000 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5231.05 грн
30+3870.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.