IGB070S10S1XTMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 232.01 грн |
| 10+ | 144.77 грн |
| 50+ | 111.23 грн |
| 100+ | 94.20 грн |
| 500+ | 76.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGB070S10S1XTMA1 Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN, Packaging: Tube, Package / Case: 4-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA, Supplier Device Package: PG-TSON-4-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IGB070S10S1XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGB070S10S1XTMA1 | Infineon Technologies |
 GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm |
на замовлення 2814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IGB070S10S1XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGB070S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.007 ohm, 6.1 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6.1nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IGB070S10S1XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IGB070S10S1XTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB070S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.007 ohm, 6.1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGB070S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.007 ohm, 6.1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)