IGB08N120S7ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IGB08N120S7ATMA1 - IGBT, 20 A, 1.65 V, 87 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 159.46 грн |
| 500+ | 131.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGB08N120S7ATMA1 INFINEON
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 20A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns, Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off), Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 55 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 87 W.
Інші пропозиції IGB08N120S7ATMA1 за ціною від 75.54 грн до 270.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGB08N120S7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 20A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off) Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 87 W |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGB08N120S7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY 14 |
на замовлення 917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGB08N120S7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB08N120S7ATMA1 - IGBT, 20 A, 1.65 V, 87 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 87W Bauform - Transistor: TO-263 Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGB08N120S7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 20A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off) Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 87 W |
товару немає в наявності |