Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGB10N60TATMA1
IGB10N60TATMA1

IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies

IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+33.57 грн
2000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns, Switching Energy: 430µJ, Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 62 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 110 W.

Інші пропозиції IGB10N60TATMA1 за ціною від 25.32 грн до 111.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
303+41.15 грн
307+40.58 грн
336+37.12 грн
341+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 303
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+47.69 грн
17+44.09 грн
25+43.48 грн
100+38.35 грн
250+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+49.83 грн
264+47.17 грн
266+46.93 грн
267+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.81 грн
10+43.16 грн
100+40.76 грн
250+36.77 грн
500+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
473+65.86 грн
525+59.27 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.17 грн
10+53.78 грн
100+48.92 грн
250+44.12 грн
500+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : INFINEON IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Description: INFINEON - IGB10N60TATMA1 - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+106.73 грн
10+87.80 грн
100+68.60 грн
500+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGB10N60T-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.21 грн
10+70.33 грн
100+41.97 грн
500+33.91 грн
1000+30.85 грн
2000+27.09 грн
5000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.22 грн
10+67.70 грн
100+45.13 грн
500+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+55.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1
Код товару: 191421
Додати до обраних Обраний товар

IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.