Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGB10N60TATMA1
IGB10N60TATMA1

IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies

IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+34.22 грн
2000+30.28 грн
3000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns, Switching Energy: 430µJ, Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 62 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 110 W.

Інші пропозиції IGB10N60TATMA1 за ціною від 26.41 грн до 113.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
303+41.93 грн
307+41.35 грн
336+37.82 грн
341+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 303
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+48.59 грн
17+44.92 грн
25+44.30 грн
100+39.07 грн
250+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+50.77 грн
264+48.07 грн
266+47.81 грн
267+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
473+67.11 грн
525+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+74.53 грн
10+49.53 грн
100+39.02 грн
250+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.43 грн
10+61.72 грн
100+46.83 грн
250+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : INFINEON IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Description: INFINEON - IGB10N60TATMA1 - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+111.34 грн
10+91.59 грн
100+71.56 грн
500+56.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 3311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.43 грн
10+69.04 грн
100+46.02 грн
500+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGB10N60T_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.93 грн
10+73.36 грн
100+43.78 грн
500+35.38 грн
1000+32.18 грн
2000+28.26 грн
5000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+58.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1
Код товару: 191421
Додати до обраних Обраний товар

IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.