Продукція > Транзистори > IGBT > IGB10N60TATMA1

IGB10N60TATMA1

IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92
Код товару: 191421
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IGB10N60TATMA1 за ціною від 37.16 грн до 167.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon TIGB10n60t_0001.pdf IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+46.90 грн
307+46.26 грн
336+42.31 грн
341+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.74 грн
17+46.90 грн
25+46.26 грн
100+40.80 грн
250+37.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+56.79 грн
264+53.77 грн
266+53.49 грн
267+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+75.07 грн
525+67.56 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.28 грн
10+74.12 грн
100+50.52 грн
250+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.75 грн
10+103.73 грн
100+70.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB10N60T_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON 2332235.pdf Description: INFINEON - IGB10N60TATMA1 - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 TIGB10n60t_0001.pdf
IGB10N60TATMA1
Виробник: Infineon
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf
IGB10N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
303+46.90 грн
307+46.26 грн
336+42.31 грн
341+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf
IGB10N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+50.74 грн
17+46.90 грн
25+46.26 грн
100+40.80 грн
250+37.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf
IGB10N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+56.79 грн
264+53.77 грн
266+53.49 грн
267+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf
IGB10N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
473+75.07 грн
525+67.56 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T-DTE.pdf
IGB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+125.28 грн
10+74.12 грн
100+50.52 грн
250+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92
IGB10N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.75 грн
10+103.73 грн
100+70.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 Infineon_IGB10N60T_DS_v02_01_EN.pdf
IGB10N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 2332235.pdf
IGB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB10N60TATMA1 - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.