Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGB110S101XTMA1
IGB110S101XTMA1

IGB110S101XTMA1 Infineon Technologies

infineon-igb110s101-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGB110S101XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 3.4nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.

Інші пропозиції IGB110S101XTMA1 за ціною від 50.83 грн до 161.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGB110S101XTMA1 IGB110S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigb110s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+68.32 грн
216+65.55 грн
222+63.78 грн
250+61.40 грн
500+56.83 грн
1000+54.54 грн
3000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 IGB110S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigb110s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.40 грн
12+68.32 грн
25+65.55 грн
100+61.50 грн
250+56.85 грн
500+54.56 грн
1000+54.54 грн
3000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 IGB110S101XTMA1 Infineon Technologies infineon-igb110s101-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
на замовлення 5652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.47 грн
10+99.78 грн
50+75.63 грн
100+63.66 грн
500+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 IGB110S101XTMA1 Infineon Technologies infineon-igb110s101-datasheet-en.pdf GaN FETs MV GAN DISCRETES
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 IGB110S101XTMA1 INFINEON Infineon-IGB110S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc63097021 Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 IGB110S101XTMA1 INFINEON Infineon-IGB110S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc63097021 Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 infineonigb110s101datasheetv0100en.pdf
IGB110S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
208+68.32 грн
216+65.55 грн
222+63.78 грн
250+61.40 грн
500+56.83 грн
1000+54.54 грн
3000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 infineonigb110s101datasheetv0100en.pdf
IGB110S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+72.40 грн
12+68.32 грн
25+65.55 грн
100+61.50 грн
250+56.85 грн
500+54.56 грн
1000+54.54 грн
3000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 infineon-igb110s101-datasheet-en.pdf
IGB110S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
на замовлення 5652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.47 грн
10+99.78 грн
50+75.63 грн
100+63.66 грн
500+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 infineon-igb110s101-datasheet-en.pdf
IGB110S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs MV GAN DISCRETES
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 Infineon-IGB110S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc63097021
IGB110S101XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 Infineon-IGB110S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc63097021
IGB110S101XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.