IGB110S101XTMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 208+ | 68.17 грн |
| 216+ | 65.40 грн |
| 222+ | 63.64 грн |
| 250+ | 61.26 грн |
| 500+ | 56.71 грн |
| 1000+ | 54.42 грн |
| 3000+ | 54.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGB110S101XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 3.4nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.
Інші пропозиції IGB110S101XTMA1 за ціною від 51.31 грн до 162.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IGB110S101XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 4734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGB110S101XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGB110S101XTMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs MV GAN DISCRETES |
на замовлення 1307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IGB110S101XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 3.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IGB110S101XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 3.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IGB110S101XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 72.23 грн |
| 12+ | 68.17 грн |
| 25+ | 65.40 грн |
| 100+ | 61.36 грн |
| 250+ | 56.73 грн |
| 500+ | 54.44 грн |
| 1000+ | 54.42 грн |
| 3000+ | 54.40 грн |
| IGB110S101XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Description: GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 162.98 грн |
| 10+ | 100.72 грн |
| 50+ | 76.34 грн |
| 100+ | 64.25 грн |
| 500+ | 51.31 грн |
| IGB110S101XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs MV GAN DISCRETES
GaN FETs MV GAN DISCRETES
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IGB110S101XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGB110S101XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




