IGB110S10S1XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGB110S10S1XTMA1 INFINEON
Description: MV GAN DISCRETES, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 3mA, Supplier Device Package: PG-TSON-4-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IGB110S10S1XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGB110S10S1XTMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm |
на замовлення 1332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
IGB110S10S1XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.4nC Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IGB110S10S1XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IGB110S10S1XTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)