IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IGB15N60T-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 837 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+131.26 грн
5+96.18 грн
10+84.57 грн
50+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 130W, Case: D2PAK, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 15A, Collector-emitter voltage: 600V.

Інші пропозиції IGB15N60TATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGB15N60T IGB15N60T Infineon Technologies Infineon-IGB15N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60T Infineon-IGB15N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.