IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 59.55 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції IGB15N60TATMA1 за ціною від 53.45 грн до 213.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube |
на замовлення 819 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns Switching Energy: 570µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 130 W |
на замовлення 1057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A |
на замовлення 858 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGB15N60TATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 130W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IGB15N60TATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
на замовлення 819 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 176.09 грн |
| 5+ | 137.24 грн |
| 10+ | 122.00 грн |
| 12+ | 84.72 грн |
| 32+ | 80.48 грн |
| 100+ | 77.09 грн |
| IGB15N60TATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 183.70 грн |
| 10+ | 113.68 грн |
| 100+ | 77.71 грн |
| 500+ | 58.46 грн |
| IGB15N60TATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 858 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 211.25 грн |
| 10+ | 133.70 грн |
| 100+ | 78.17 грн |
| 500+ | 66.82 грн |
| 1000+ | 59.53 грн |
| 2000+ | 56.26 грн |
| 5000+ | 53.45 грн |
| IGB15N60TATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 213.32 грн |
| 10+ | 145.11 грн |
| 100+ | 101.89 грн |
| 500+ | 70.56 грн |
| IGB15N60TATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 69+ | 213.32 грн |
| 101+ | 145.11 грн |
| 144+ | 101.89 грн |
| 500+ | 70.56 грн |
| IGB15N60TATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)