Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGB15N60TATMA1
IGB15N60TATMA1

IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies

IGB15N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428077f3d42
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+53.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IGB15N60TATMA1 за ціною від 45.32 грн до 174.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB15N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.65 грн
5+95.87 грн
10+84.84 грн
50+77.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies IGB15N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428077f3d42 Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.72 грн
10+102.55 грн
100+69.84 грн
500+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON 2332236.pdf Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.22 грн
10+109.37 грн
100+73.18 грн
500+53.98 грн
1000+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.33 грн
10+110.23 грн
100+65.48 грн
500+52.16 грн
1000+47.93 грн
2000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies infineonigb15n60tdatasheetv0206en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+174.35 грн
123+115.78 грн
178+79.48 грн
500+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60T-DTE.pdf
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+130.65 грн
5+95.87 грн
10+84.84 грн
50+77.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428077f3d42
IGB15N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+165.72 грн
10+102.55 грн
100+69.84 грн
500+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 2332236.pdf
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+170.22 грн
10+109.37 грн
100+73.18 грн
500+53.98 грн
1000+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 Infineon-IGB15N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf
IGB15N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+174.33 грн
10+110.23 грн
100+65.48 грн
500+52.16 грн
1000+47.93 грн
2000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 infineonigb15n60tdatasheetv0206en.pdf
IGB15N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
82+174.35 грн
123+115.78 грн
178+79.48 грн
500+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.