IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IGB15N60TATMA1 за ціною від 50.87 грн до 173.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Collector-emitter voltage: 600V |
на замовлення 837 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns Switching Energy: 570µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 130 W |
на замовлення 1057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IGB15N60TATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A |
на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IGB15N60TATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 837 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 130.38 грн |
| 5+ | 95.54 грн |
| 10+ | 84.01 грн |
| 50+ | 75.77 грн |
| IGB15N60TATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 160.87 грн |
| 10+ | 99.55 грн |
| 100+ | 67.80 грн |
| 500+ | 50.87 грн |
| IGB15N60TATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 173.19 грн |
| 123+ | 115.01 грн |
| 178+ | 78.95 грн |
| 500+ | 73.72 грн |
| IGB15N60TATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGB15N60TATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)