Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGB15N60TATMA1
IGB15N60TATMA1

IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies

IGB15N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428077f3d42 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns, Switching Energy: 570µJ, Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 87 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 130 W.

Інші пропозиції IGB15N60TATMA1 за ціною від 47.48 грн до 171.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Виробник : INFINEON IGB15N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428077f3d42 Description: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.26 грн
10+104.56 грн
100+75.50 грн
500+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.25 грн
5+110.85 грн
12+76.45 грн
33+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGB15N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361594.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.11 грн
10+108.88 грн
100+71.85 грн
500+57.24 грн
1000+52.62 грн
2000+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies IGB15N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428077f3d42 Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.34 грн
10+101.37 грн
100+69.05 грн
500+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.90 грн
5+138.14 грн
12+91.74 грн
33+87.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 43374962241830056igb15n60trev2_4g.pdffileiddb3a304412b407950112b428077f3d42folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 43374962241830056igb15n60trev2_4g.pdffileiddb3a304412b407950112b428077f3d42folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 43374962241830056igb15n60trev2_4g.pdffileiddb3a304412b407950112b428077f3d42folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.