IGB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 57.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns, Switching Energy: 690µJ, Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 170 W.
Інші пропозиції IGB20N60H3ATMA1 за ціною від 61.26 грн до 152.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W |
на замовлення 1956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
| IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
IGB20N60H3ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube |
товар відсутній |