IGB20N65S5ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 92.66 грн |
| 500+ | 70.93 грн |
| 1000+ | 62.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGB20N65S5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V, Verlustleistung Pd: 125W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 40A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IGB20N65S5ATMA1 за ціною від 58.71 грн до 191.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IGB20N65S5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGB20N65S5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGB20N65S5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 125 W |
на замовлення 417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGB20N65S5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
5 high speed soft switching IGBT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IGB20N65S5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 48nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 28A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 137ns кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IGB20N65S5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 125 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IGB20N65S5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 48nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 28A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 137ns |
товару немає в наявності |