Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGB20N65S5ATMA1

IGB20N65S5ATMA1 Infineon Technologies

Name: IGB20N65S5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 13614311-3
Price: 377.16 UAH
Availability: InStock

Infineon-IGB20N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bcaeb2fee

Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns
Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 125 W

на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	188.58 грн
10+	116.30 грн
100+	79.19 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IGB20N65S5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V, Verlustleistung Pd: 125W, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 40A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції IGB20N65S5ATMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
IGB20N65S5ATMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C	на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IGB20N65S5ATMA1	Infineon Technologies	IGBTs IGBT PRODUCTS	на замовлення 946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IGB20N65S5ATMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V Verlustleistung Pd: 125W Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 40A Betriebstemperatur, max.: 175°C	на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

IGB20N65S5ATMA1

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IGB20N65S5ATMA1

Infineon-IGB20N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf

Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 946 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IGB20N65S5ATMA1

INFN-S-A0003614512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 125W
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.