IGB30N60H3ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 120.18 грн |
| 200+ | 89.76 грн |
| 500+ | 69.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGB30N60H3ATMA1 INFINEON
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns, Switching Energy: 1.17mJ, Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V, Gate Charge: 165 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 187 W.
Інші пропозиції IGB30N60H3ATMA1 за ціною від 69.35 грн до 220.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGB30N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IGB30N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns Switching Energy: 1.17mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W |
на замовлення 839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IGB30N60H3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IGB30N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
IGB30N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IGB30N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IGB30N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IGB30N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns Switching Energy: 1.17mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IGB30N60H3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs N |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IGB30N60H3ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK Type of transistor: IGBT Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 187W Collector-emitter voltage: 600V |
товару немає в наявності |