Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGB30N60H3ATMA1
IGB30N60H3ATMA1

IGB30N60H3ATMA1 Infineon Technologies

IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGB30N60H3ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns, Switching Energy: 1.17mJ, Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V, Gate Charge: 165 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 187 W.

Інші пропозиції IGB30N60H3ATMA1 за ціною від 85.38 грн до 255.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies dgdlfolderiddb3a30431c69a49d011c6f86019b00a1fileiddb3a30432a40a65.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+141.19 грн
97+125.77 грн
101+120.90 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+157.25 грн
200+120.79 грн
500+91.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96 Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.76 грн
10+151.06 грн
100+105.23 грн
500+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+255.22 грн
10+184.42 грн
50+157.25 грн
200+120.79 грн
500+91.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 Виробник : Infineon IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies dgdlfolderiddb3a30431c69a49d011c6f86019b00a1fileiddb3a30432a40a65.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies dgdlfolderiddb3a30431c69a49d011c6f86019b00a1fileiddb3a30432a40a65.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies dgdlfolderiddb3a30431c69a49d011c6f86019b00a1fileiddb3a30432a40a65.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B313D524DA4FA8&compId=IGB30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=05eee272f2f32c94c4edda458aab4b05290465f5 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en-3360235.pdf IGBTs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B313D524DA4FA8&compId=IGB30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=05eee272f2f32c94c4edda458aab4b05290465f5 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.