на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 221.44 грн |
| 10+ | 162.44 грн |
| 100+ | 102.26 грн |
| 500+ | 88.28 грн |
| 1000+ | 83.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGB30N60T Infineon Technologies
Description: IGB30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns, Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V, Gate Charge: 167 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 45 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 187 W.
Інші пропозиції IGB30N60T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGB30N60T | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGB30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUTPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W |
товару немає в наявності |