IGB30N60TATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 75.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGB30N60TATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns, Switching Energy: 1.46mJ, Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V, Gate Charge: 167 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 187 W.
Інші пропозиції IGB30N60TATMA1 за ціною від 83.21 грн до 235.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IGB30N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 1.46mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W |
на замовлення 1954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IGB30N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IGB30N60TATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK Type of transistor: IGBT Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 187W Gate charge: 167nC Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 39A Pulsed collector current: 90A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| IGB30N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
IGB30N60TATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK Type of transistor: IGBT Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 187W Gate charge: 167nC Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 39A Pulsed collector current: 90A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs |
товару немає в наявності |