Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGB50N60T
IGB50N60T

IGB50N60T Infineon Technologies

Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGB50N60T Infineon Technologies

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 333W, Case: D2PAK, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 50A, Collector-emitter voltage: 600V.

Інші пропозиції IGB50N60T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60T-DTE.pdf
IGB50N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.