IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 138.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP™, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IGB50N60TATMA1 за ціною від 118.02 грн до 432.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGB50N60TATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGB50N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGB50N60TATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGB50N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGB50N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGB50N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W |
на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGB50N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGB50N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IGB50N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IGB50N60TATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 333W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IGB50N60TATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 333W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A |
товару немає в наявності |