Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGB50N60TATMA1
IGB50N60TATMA1

IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies

IGB50N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42812613d55 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+107.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, Switching Energy: 2.6mJ, Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 333 W.

Інші пропозиції IGB50N60TATMA1 за ціною від 103.29 грн до 350.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001300603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+166.52 грн
500+129.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+184.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies IGB50N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42812613d55 Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.07 грн
10+195.11 грн
100+137.84 грн
500+118.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGB50N60T-DS-v02_07-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+332.07 грн
10+215.58 грн
100+133.13 грн
500+121.66 грн
1000+103.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonigb50n60tdsv0207en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+337.54 грн
50+268.10 грн
100+256.79 грн
500+223.58 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001300603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+350.20 грн
10+233.47 грн
100+166.52 грн
500+129.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonigb50n60tdsv0207en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonigb50n60tdsv0207en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31590A7878FA8&compId=IGB50N60T-DTE.pdf?ci_sign=60db27e8dc1b6cad47cbf90a3606a38d6dfebaed Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31590A7878FA8&compId=IGB50N60T-DTE.pdf?ci_sign=60db27e8dc1b6cad47cbf90a3606a38d6dfebaed Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.