Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGB50N60TATMA1
IGB50N60TATMA1

IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies

IGB50N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42812613d55 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+169.84 грн
2000+ 154 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, Switching Energy: 2.6mJ, Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 333 W.

Інші пропозиції IGB50N60TATMA1 за ціною від 155.55 грн до 594.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+186.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+188.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies IGB50N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42812613d55 Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 3083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+328.59 грн
10+ 265.58 грн
100+ 214.89 грн
500+ 179.26 грн
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN-1226832.pdf IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+352.05 грн
10+ 290.98 грн
25+ 243.68 грн
100+ 204.96 грн
250+ 193.61 грн
500+ 182.26 грн
1000+ 155.55 грн
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+594.77 грн
27+ 433.65 грн
50+ 384.91 грн
100+ 348.15 грн
200+ 304.59 грн
500+ 271.95 грн
1000+ 255.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies 42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
товар відсутній