Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGB50N65S5ATMA1
IGB50N65S5ATMA1

IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-igb50n65s5-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+94.80 грн
2000+85.23 грн
3000+82.15 грн
5000+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns, Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 270 W.

Інші пропозиції IGB50N65S5ATMA1 за ціною від 77.26 грн до 334.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+266.98 грн
10+161.31 грн
12+82.35 грн
33+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies infineon-igb50n65s5-datasheet-cn.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 7877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.14 грн
10+173.45 грн
100+120.94 грн
500+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies infineon_igb50n65s5_datasheet_en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+293.17 грн
10+187.75 грн
100+114.36 грн
500+95.55 грн
1000+88.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies infineon-igb50n65s5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.66 грн
10+225.87 грн
100+163.87 грн
500+141.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies infineon-igb50n65s5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+334.66 грн
65+225.87 грн
100+163.87 грн
500+141.42 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON 2619562.pdf Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 270W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON 2619562.pdf Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 270W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+266.98 грн
10+161.31 грн
12+82.35 грн
33+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 infineon-igb50n65s5-datasheet-cn.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 7877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.14 грн
10+173.45 грн
100+120.94 грн
500+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 infineon_igb50n65s5_datasheet_en.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+293.17 грн
10+187.75 грн
100+114.36 грн
500+95.55 грн
1000+88.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 infineon-igb50n65s5-datasheet-v02_02-en.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+334.66 грн
10+225.87 грн
100+163.87 грн
500+141.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 infineon-igb50n65s5-datasheet-v02_02-en.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+334.66 грн
65+225.87 грн
100+163.87 грн
500+141.42 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 2619562.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 270W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 2619562.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 270W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.