Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGB50N65S5ATMA1
IGB50N65S5ATMA1

IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+106.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns, Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 270 W.

Інші пропозиції IGB50N65S5ATMA1 за ціною від 108.62 грн до 301.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Виробник : INFINEON 2619562.pdf Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.08 грн
500+116.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igb50n65s5-datasheet-v02_02-en.pdf 5 high speed soft switching IGBT
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+238.56 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Виробник : INFINEON 2619562.pdf Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+251.93 грн
10+195.94 грн
100+144.08 грн
500+116.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGB50N65S5_DataSheet_v02_02_EN-3361666.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.29 грн
10+200.87 грн
25+173.94 грн
100+127.70 грн
500+110.82 грн
1000+108.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.68 грн
10+191.05 грн
100+134.50 грн
500+114.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igb50n65s5-datasheet-v02_02-en.pdf 5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igb50n65s5-datasheet-v02_02-en.pdf 5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igb50n65s5-datasheet-v02_02-en.pdf 5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB81BC395BB820&compId=IGB50N65S5.pdf?ci_sign=0778718709225d6346585e04ae937444174763cc Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB81BC395BB820&compId=IGB50N65S5.pdf?ci_sign=0778718709225d6346585e04ae937444174763cc Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.