Продукція > INFINEON > IGC019S06S1XTMA1
IGC019S06S1XTMA1

IGC019S06S1XTMA1 INFINEON

Infineon-IGC019S06S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc6fc37028 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC019S06S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 60 V, 99 A, 1900 µohm, 13 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 13nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 3494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+179.90 грн
500+148.66 грн
1000+126.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGC019S06S1XTMA1 INFINEON

Description: MV GAN DISCRETES, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA, Supplier Device Package: PG-TSON-6-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IGC019S06S1XTMA1 за ціною від 102.82 грн до 377.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGC019S06S1XTMA1 IGC019S06S1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonigc019s06s1datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 395000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+187.51 грн
200000+172.18 грн
300000+161.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1 IGC019S06S1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IGC019S06S1_1_1.pdf Description: MV GAN DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 30 V
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.94 грн
10+195.58 грн
100+138.07 грн
500+118.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1 IGC019S06S1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGC019S06S1_DataSheet_v01_01_EN.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
на замовлення 3298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+337.49 грн
10+223.25 грн
100+143.49 грн
500+128.14 грн
1000+118.16 грн
5000+102.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1 IGC019S06S1XTMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IGC019S06S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc6fc37028 Description: INFINEON - IGC019S06S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 60 V, 99 A, 1900 µohm, 13 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 13nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+360.66 грн
10+241.87 грн
100+179.90 грн
500+148.66 грн
1000+126.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1 IGC019S06S1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonigc019s06s1datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+377.08 грн
10+247.92 грн
25+194.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1 IGC019S06S1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonigc019s06s1datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1 IGC019S06S1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonigc019s06s1datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1 IGC019S06S1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IGC019S06S1_1_1.pdf Description: MV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.