Продукція > INFINEON > IGC019S06S1XTMA1
IGC019S06S1XTMA1

IGC019S06S1XTMA1 INFINEON

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC019S06S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 60 V, 99 A, 0.0019 ohm, 13 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 13nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
usEccn: EAR99
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+205.70 грн
500+160.35 грн
1000+126.25 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGC019S06S1XTMA1 INFINEON

Description: MV GAN DISCRETES, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA, Supplier Device Package: PG-TSON-6-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IGC019S06S1XTMA1 за ціною від 126.25 грн до 359.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGC019S06S1XTMA1 IGC019S06S1XTMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IGC019S06S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc6fc37028 Description: INFINEON - IGC019S06S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 60 V, 99 A, 0.0019 ohm, 13 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 13nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+359.77 грн
10+258.19 грн
100+205.70 грн
500+160.35 грн
1000+126.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igc019s06s1-datasheet-v01_01-en.pdf Cool GaN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: MV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.