IGC019S06S1XTMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 211.83 грн |
| 200000+ | 194.50 грн |
| 300000+ | 181.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGC019S06S1XTMA1 Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA, Supplier Device Package: PG-TSON-6-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IGC019S06S1XTMA1 за ціною від 108.06 грн до 300.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGC019S06S1XTMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IGC019S06S1XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA Supplier Device Package: PG-TSON-6-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±6.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V |
на замовлення 2398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IGC019S06S1XTMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm |
на замовлення 2983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
IGC019S06S1XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGC019S06S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 60 V, 99 A, 1900 µohm, 13 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 13nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: CoolGaN Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
IGC019S06S1XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
IGC019S06S1XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGC019S06S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 60 V, 99 A, 1900 µohm, 13 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 13nC Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm |
на замовлення 3494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IGC019S06S1XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 270.40 грн |
| 10+ | 225.25 грн |
| 25+ | 218.60 грн |
| IGC019S06S1XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V
Description: GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 300.96 грн |
| 10+ | 190.94 грн |
| 100+ | 134.81 грн |
| 500+ | 108.06 грн |
| IGC019S06S1XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IGC019S06S1XTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC019S06S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 60 V, 99 A, 1900 µohm, 13 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 13nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGC019S06S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 60 V, 99 A, 1900 µohm, 13 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 13nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGC019S06S1XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGC019S06S1XTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC019S06S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 60 V, 99 A, 1900 µohm, 13 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 13nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
Description: INFINEON - IGC019S06S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 60 V, 99 A, 1900 µohm, 13 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 13nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 3494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)