Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IGC025S08S1XTMA1 транзистор польовий

IGC025S08S1XTMA1 транзистор польовий

Код товару: 223372
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується: 5 шт
  • 5 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IGC025S08S1XTMA1 транзистор польовий за ціною від 101.14 грн до 311.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+101.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigc025s08s1datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.38 грн
10+147.14 грн
25+128.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigc025s08s1datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+222.05 грн
20000+203.88 грн
30000+190.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
на замовлення 6952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.72 грн
10+197.70 грн
50+153.73 грн
100+130.99 грн
500+111.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
на замовлення 8628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigc025s08s1datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf
IGC025S08S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+101.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 infineonigc025s08s1datasheetv0101en.pdf
IGC025S08S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+162.38 грн
10+147.14 грн
25+128.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 infineonigc025s08s1datasheetv0101en.pdf
IGC025S08S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+222.05 грн
20000+203.88 грн
30000+190.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf
IGC025S08S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
на замовлення 6952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+311.72 грн
10+197.70 грн
50+153.73 грн
100+130.99 грн
500+111.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf
IGC025S08S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
на замовлення 8628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b
IGC025S08S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 infineonigc025s08s1datasheetv0101en.pdf
IGC025S08S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b
IGC025S08S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.