Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGC025S08S1XTMA1
IGC025S08S1XTMA1

IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies

infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+100.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies

Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA, Supplier Device Package: PG-TSON-6-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IGC025S08S1XTMA1 за ціною від 111.44 грн до 310.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
на замовлення 6972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.20 грн
10+196.94 грн
100+139.03 грн
500+111.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IGC025S08S1_DataSheet_v01_01_EN.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
на замовлення 9078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf
IGC025S08S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
на замовлення 6972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+310.20 грн
10+196.94 грн
100+139.03 грн
500+111.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b
IGC025S08S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 Infineon_IGC025S08S1_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IGC025S08S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
на замовлення 9078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b
IGC025S08S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.