IGC025S08S1XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 12nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 143.90 грн |
| 500+ | 117.59 грн |
| 1000+ | 106.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGC025S08S1XTMA1 INFINEON
Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA, Supplier Device Package: PG-TSON-6-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V.
Інші пропозиції IGC025S08S1XTMA1 за ціною від 94.45 грн до 361.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGC025S08S1XTMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm |
на замовлення 9078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IGC025S08S1XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TSON-6-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±6.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V |
на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IGC025S08S1XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
на замовлення 9078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 325.63 грн |
| 10+ | 202.64 грн |
| 100+ | 129.69 грн |
| 500+ | 110.66 грн |
| 2500+ | 106.43 грн |
| 5000+ | 94.45 грн |
| IGC025S08S1XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 361.58 грн |
| 10+ | 229.76 грн |
| 100+ | 162.24 грн |
| 500+ | 125.19 грн |
| 1000+ | 116.50 грн |