
IGC025S08S1XTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 0.0025 ohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 12nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 203.78 грн |
500+ | 158.34 грн |
1000+ | 124.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGC025S08S1XTMA1 INFINEON
Description: MV GAN DISCRETES, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA, Supplier Device Package: PG-TSON-6-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V.
Інші пропозиції IGC025S08S1XTMA1 за ціною від 101.85 грн до 355.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IGC025S08S1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TSON-6-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±6.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V |
на замовлення 4349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGC025S08S1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGC025S08S1XTMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 12nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: CoolGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IGC025S08S1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TSON-6-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±6.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |