Продукція > INFINEON > IGC025S08S1XTMA1
IGC025S08S1XTMA1

IGC025S08S1XTMA1 INFINEON


Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 0.0025 ohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 12nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+203.78 грн
500+158.34 грн
1000+124.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGC025S08S1XTMA1 INFINEON

Description: MV GAN DISCRETES, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA, Supplier Device Package: PG-TSON-6-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IGC025S08S1XTMA1 за ціною від 101.85 грн до 355.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IGC025S08S1_1_1.pdf Description: MV GAN DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V
на замовлення 4349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.91 грн
10+191.20 грн
100+134.96 грн
500+115.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+334.29 грн
10+221.14 грн
100+142.13 грн
500+126.93 грн
1000+117.05 грн
5000+101.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 0.0025 ohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 12nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+355.54 грн
10+254.93 грн
100+203.78 грн
500+158.34 грн
1000+124.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IGC025S08S1_1_1.pdf Description: MV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.