IGC033S101XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 11nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 191.95 грн |
| 500+ | 151.86 грн |
| 1000+ | 128.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGC033S101XTMA1 INFINEON
Description: MV GAN DISCRETES, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA, Supplier Device Package: PG-VSON-6-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IGC033S101XTMA1 за ціною від 102.82 грн до 356.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGC033S101XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MV GAN DISCRETES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA Supplier Device Package: PG-VSON-6-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±6.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V |
на замовлення 4430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGC033S101XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
GaN FETs MV GAN DISCRETES |
на замовлення 5484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGC033S101XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 11nC Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGC033S101XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MV GAN DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA Supplier Device Package: PG-VSON-6-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±6.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |