Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGC033S101XTMA1
IGC033S101XTMA1

IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies

infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+199.07 грн
82+173.63 грн
100+156.02 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies

Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA, Supplier Device Package: PG-VSON-6-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IGC033S101XTMA1 за ціною від 115.61 грн до 383.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+199.23 грн
10+173.78 грн
100+156.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.31 грн
10+226.73 грн
25+223.16 грн
100+211.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+230.31 грн
63+226.73 грн
64+223.16 грн
100+211.74 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc033s101-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-VSON-6-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.79 грн
10+204.27 грн
50+158.87 грн
100+135.36 грн
500+115.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+383.20 грн
10+261.22 грн
100+203.69 грн
500+172.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+383.20 грн
55+261.22 грн
100+203.69 грн
500+172.31 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IGC033S101_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs MV GAN DISCRETES
на замовлення 3157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 INFINEON 4470073.pdf Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 INFINEON 4470073.pdf Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+199.23 грн
10+173.78 грн
100+156.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+230.31 грн
10+226.73 грн
25+223.16 грн
100+211.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+230.31 грн
63+226.73 грн
64+223.16 грн
100+211.74 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineon-igc033s101-datasheet-en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-VSON-6-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+321.79 грн
10+204.27 грн
50+158.87 грн
100+135.36 грн
500+115.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+383.20 грн
10+261.22 грн
100+203.69 грн
500+172.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+383.20 грн
55+261.22 грн
100+203.69 грн
500+172.31 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 Infineon_IGC033S101_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs MV GAN DISCRETES
на замовлення 3157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 4470073.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 4470073.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.