Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGC033S101XTMA1
IGC033S101XTMA1

IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies

infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+140.68 грн
10+131.82 грн
25+130.50 грн
100+117.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies

Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA, Supplier Device Package: PG-VSON-6-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IGC033S101XTMA1 за ціною від 110.83 грн до 373.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+199.31 грн
10+173.64 грн
100+155.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+199.74 грн
82+174.07 грн
100+156.37 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc033s101-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-VSON-6-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.82 грн
10+195.87 грн
50+152.30 грн
100+129.77 грн
500+110.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+371.30 грн
10+252.76 грн
100+196.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+373.66 грн
56+254.34 грн
100+198.28 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc033s101-datasheet-en.pdf GaN FETs MV GAN DISCRETES
на замовлення 3157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 INFINEON 4470073.pdf Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 INFINEON 4470073.pdf Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+199.31 грн
10+173.64 грн
100+155.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+199.74 грн
82+174.07 грн
100+156.37 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineon-igc033s101-datasheet-en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-VSON-6-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+308.82 грн
10+195.87 грн
50+152.30 грн
100+129.77 грн
500+110.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+371.30 грн
10+252.76 грн
100+196.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+373.66 грн
56+254.34 грн
100+198.28 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineon-igc033s101-datasheet-en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs MV GAN DISCRETES
на замовлення 3157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 4470073.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 4470073.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.