Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGC033S101XTMA1
IGC033S101XTMA1

IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies

infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+163.58 грн
96+148.65 грн
97+147.14 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies

Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA, Supplier Device Package: PG-VSON-6-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IGC033S101XTMA1 за ціною від 112.44 грн до 506.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.46 грн
10+169.44 грн
100+147.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.54 грн
84+170.43 грн
100+148.01 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc033s101-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-VSON-6-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+312.98 грн
10+198.71 грн
100+140.28 грн
500+112.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.02 грн
10+253.46 грн
100+197.68 грн
500+167.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+372.02 грн
56+253.46 грн
100+197.68 грн
500+167.16 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+506.45 грн
10+333.95 грн
100+313.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IGC033S101_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs MV GAN DISCRETES
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 INFINEON 4470073.pdf Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 INFINEON 4470073.pdf Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+186.46 грн
10+169.44 грн
100+147.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+187.54 грн
84+170.43 грн
100+148.01 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineon-igc033s101-datasheet-en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-VSON-6-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+312.98 грн
10+198.71 грн
100+140.28 грн
500+112.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+372.02 грн
10+253.46 грн
100+197.68 грн
500+167.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+372.02 грн
56+253.46 грн
100+197.68 грн
500+167.16 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 infineonigc033s101datasheetv0100en.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+506.45 грн
10+333.95 грн
100+313.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 Infineon_IGC033S101_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs MV GAN DISCRETES
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 4470073.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 4470073.pdf
IGC033S101XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.