Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGC033S10S1XTMA1
IGC033S10S1XTMA1

IGC033S10S1XTMA1 Infineon Technologies

infineon-igc033s10s1-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+100.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGC033S10S1XTMA1 Infineon Technologies

Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA, Supplier Device Package: PG-TSON-6-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IGC033S10S1XTMA1 за ціною від 110.83 грн до 308.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGC033S10S1XTMA1 IGC033S10S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s10s1datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+199.74 грн
10+173.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 IGC033S10S1XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc033s10s1-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 13940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.82 грн
10+195.87 грн
50+152.30 грн
100+129.77 грн
500+110.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 IGC033S10S1XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc033s10s1-datasheet-en.pdf GaN FETs MV GAN DISCRETES
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 IGC033S10S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigc033s10s1datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 infineonigc033s10s1datasheetv0100en.pdf
IGC033S10S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+199.74 грн
10+173.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 infineon-igc033s10s1-datasheet-en.pdf
IGC033S10S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 13940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+308.82 грн
10+195.87 грн
50+152.30 грн
100+129.77 грн
500+110.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 infineon-igc033s10s1-datasheet-en.pdf
IGC033S10S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs MV GAN DISCRETES
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 infineonigc033s10s1datasheetv0100en.pdf
IGC033S10S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.