Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGC033S10S1XTMA1
IGC033S10S1XTMA1

IGC033S10S1XTMA1 Infineon Technologies

infineon-igc033s10s1-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+108.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGC033S10S1XTMA1 Infineon Technologies

Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA, Supplier Device Package: PG-TSON-6-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IGC033S10S1XTMA1 за ціною від 108.76 грн до 351.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGC033S10S1XTMA1 IGC033S10S1XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc033s10s1-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 6668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.00 грн
10+223.03 грн
100+157.49 грн
500+121.53 грн
1000+113.09 грн
2000+108.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 IGC033S10S1XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IGC033S10S1_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs MV GAN DISCRETES
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 IGC033S10S1XTMA1 INFINEON infineon-igc033s10s1-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 IGC033S10S1XTMA1 INFINEON infineon-igc033s10s1-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 11nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 infineon-igc033s10s1-datasheet-en.pdf
IGC033S10S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 6668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+351.00 грн
10+223.03 грн
100+157.49 грн
500+121.53 грн
1000+113.09 грн
2000+108.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 Infineon_IGC033S10S1_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IGC033S10S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs MV GAN DISCRETES
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 infineon-igc033s10s1-datasheet-en.pdf
IGC033S10S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 infineon-igc033s10s1-datasheet-en.pdf
IGC033S10S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 11nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.